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离子注入/掺杂气
离子注入是导电基材制造中的关键工艺,通过将特定离子注入导电基材,精确控制掺杂深度、浓度和分布,以优化器件性能。主流产品有三氟化硼(BF₃)、磷烷(PH₃)、砷烷(AsH₃)等,通过注入不同离子(如硼、磷)调节载流子浓度,优化晶体管阈值电压及开关速度。随着技术的不断发展,其在先进制程中的应用将更加广泛。